В микросхемах плотностью 512 Мбит, работающих на эквивалентной частоте 4,8 ГГц, используется архитектура Rambus XDR. По словам производителя, новая память имеет пропускную способность 9,6 Гб/с (для одного прибора). Это делает ее идеальным выбором для приложений, особенно требовательных к производительности, таких, как телевизоры высокой четкости (HDTV), игровые консоли, ПК, серверы и рабочие станции.

Новая память Elpida плотностью 512 Мб (EDX5116ADSE-5E-E) имеет программируемую логическую организацию x16/x8/x4 (8 банков) и в шесть раз (в режиме x16) превосходит по пропускной способности память DDR2-800, являющуюся сейчас фактическим стандартом для отрасли.

Среди ключевых особенностей новой памяти – технологии, разработанные Rambus: Differential Rambus Signaling Level (DRSL), снижающая уровень шумов; Octal Data Rate (ODR), передающая восемь бит данных за каждый такт, что эквивалентно частоте 4,8 ГГц (реальная тактовая частота – 600 МГц); FlexPhase, позволяющая точно подстроить временные параметры чипа.

Память XDR DRAM является составной частью архитектуры XDR, включающей контроллер памяти XMC (XDR Memory Controller), контроллер ввода-вывода XIO (XDR IO controller interface cell) и генератор XCG (XDR Clock Generator). Вместе, перечисленные компоненты позволяют минимальным количеством микросхем реализовать самую быстродействующую подсистему оперативной памяти.

Для выпуска 4,8-ГГц XDR-чипов используется техпроцесс Elpida с нормами 70 нм. Микросхемы оформлены в 104-контактных корпусах типа FBGA. Поставки ознакомительных образцов Elpida EDX5116ADSE-5E-E начнутся в декабре, а серийный выпуск намечено развернуть в апреле 2008 года.